[14p-PB10-1~5] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [14p-PB10-5] Effect of Istropic Stress on Stability of Dopant Atom in Si Crystal

〇Hiroya Iwashiro¹, Koji Sueoka², Kazuhisa Torigoe³, Toshiaki Ono³ (1.Graduate School of Engineering Okayama Pref. Univ, 2.Okayama Pref. Univ, 3.SUMCO CORPORATION)

Keywords:Stress, Dopant, Si Crystal

結晶成長，電子デバイス製造などの工程においてSi結晶には様々な応力が負荷され，その大きさはMPa~GPaオーダーに達している．このような応力下では不純物の形成エンタルピーが変化し，それに伴って熱平衡濃度も変化するため，応力の影響はSi決勝の高品位化やデバイスの信頼性に影響する．本発表では第一原理計算を用い，応力がSi結晶中のドーパントや軽元素の形成エンタルピーに与える影響について基礎データを得た．