[14p-PB2-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[14p-PB2-1] Room temperature lasing of buried heterostructure GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇Koki Tsushima¹, Xu Han¹, Takahiro Ishizaki¹, Masaki Matsuura¹, Takuto Shirai¹, Kota Shibukawa¹, Keita Fujiwara¹, Motonari Sato¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, optical interconnection, optical communication

大規模集積回路の高速大容量通信の低消費電力化に向け，薄膜InPをシリコンに直接貼り付けをしたInP/Si上にMOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．従来では，GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザの集積を行った後に，ハイメサ構造の作製を行うことでしきい値電流値の低減を実現させた.今回，散乱損失の低下と熱の拡散を狙い，ハイメサ構造作製後に，2回目の成長として活性層付近にi-InPを堆積させ，埋込レーザ構造を作成した．