[14p-PB2-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[14p-PB2-2] Lasing characteristics of GaInAsP / GaInAsP strained MQW laser diode
on wafer bonded InP/Si substrate

〇Takahiro Ishizaki¹, Xu Han¹, Masaki Matsuura¹, Koki Tsushima¹, Takuto Shirai¹, Keita Fujiwara¹, Motonari Sato¹, Kota Shibukawa¹, Kazuhiko shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, Optical interconection, Optical communication

近年、情報伝送量が爆発的に増加し光インターコネクションの実現が望まれる。そのためにSi基板上に光デバイスが集積されるが、Siは間接遷移半導体のため発光デバイスに不向きである。我々の研究室ではInP薄膜とSi基板を直接貼り付けした基板上で、InP面にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案している。これによりSiとInP系の格子定数差などの問題を解決している。本研究では、InP/Si基板上圧縮歪MQWレーザの発振特性について述べる。