[14p-PB2-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[14p-PB2-3] InAs Quantum dots with strain compensation layer grown on directly bonded InP/Si substrate

〇(M1C)Takuto Shirai¹, Xu Han¹, Takahiro Ishizaki¹, Koki Tsushima¹, Kota Shibukawa¹, Keita Fujiwara¹, Motonari Sato¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:Silicon photonics, InAs/InP quantum dots, InP/Si substrate

InAs/InP量子ドット構造において多層化した際に上部層において密度の低下、径の不均一性が起きることが確認されている。
本研究では、InP基板とInP/Si基板上にて量子ドットの歪みを緩和する層を導入し多層化した量子ドット構造の成長を行い、両基板において得られた量子ドットの歪み緩衝層の依存性について研究を行った。