[14p-PB2-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[14p-PB2-11] Ion-implantation conditions for InAs/GaAs quantum dot intermixing

〇Yu Hiraishi¹, Taisei Ito¹, Jinkwan Kwoen², Yuichi Matsushima¹, Hiroshi ishikawa¹, Yasuhiko Arakawa², Katsuyuki Utaka¹ (1.Waseda Univ., 2.NanoQuine. Univ. of Tokyo)

Keywords:Quantum Dot Intermixing, quantum dot, Rapid Thermal Annealing

データセンタ内ネットワーク用光源として、低閾値電流、温度安定性等に優れた1300nm帯の変調器集積InAs量子ドットレーザ(QD-LD)の実現を目指している。そのためにQDウエハにイオン注入 とアニールによる量子ドット組成混合(QDI)技術を検討してきた。今回はイオン注入角度やドーズ量がPLスペクトルに与える影響を検討したので報告する。