[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-3] 歪み緩衝層を導入したInP/Si基板上InAs量子ドット構造

〇(M1C)白井 琢人¹、韓 旭¹、石崎 隆浩¹、対馬 幸樹¹、澁川 航大¹、藤原 啓太¹、佐藤 元就¹、下村 和彦¹ (1.上智理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、InAs/InP量子ドット、InP/Si基板

InAs/InP量子ドット構造において多層化した際に上部層において密度の低下、径の不均一性が起きることが確認されている。
本研究では、InP基板とInP/Si基板上にて量子ドットの歪みを緩和する層を導入し多層化した量子ドット構造の成長を行い、両基板において得られた量子ドットの歪み緩衝層の依存性について研究を行った。