[14p-PB4-1~22] 8 プラズマエレクトロニクス

[14p-PB4-21] レーザーエリプソメトリによるグラフェン成長初期過程のモニタリング

〇林 康明^1,2,3、野々村 秋人¹、三瓶 明希夫¹ (1.京都工繊大、2.大和大、3.中部大)

キーワード：グラフェン、エリプソメトリ、プラズマCVD

ｸﾞﾗﾌｪﾝを非金属基板上に直接成長するとき核発生段階をﾓﾆﾀﾘﾝｸﾞする計測技術が必要となり、表面状態変化を極めて敏感に測定できるﾚｰｻﾞｰｴﾘﾌﾟｿﾒﾄﾘを利用することを提案している。ｸﾞﾗﾌｪﾝの成長にﾏｸﾞﾈﾄﾛﾝﾌﾟﾗｽﾞﾏCVD装置を用い、原料ｶﾞｽにCH₄とH₂を、基板にSi上SiO₂薄膜（膜厚110nm）を用いた。ｴﾘﾌﾟｿﾒﾄﾘによるﾓﾆﾀﾘﾝｸﾞの結果、ｸﾞﾗﾌｪﾝの成長には、約1600秒の核発生誘導期間があり、核発生開始の時点で特徴的な変化をしていることが分かった。