[14p-PB8-1~8] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[14p-PB8-8] Thermal Properties of the Single Crystal of InGaZnO₄

〇Naoki Kase¹, Yuki Kobayashi¹, Yusuke Tanaka¹, Takenori Fujii², Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.Univ. of Tokyo)

Keywords:Transparent semiconductor, IGZO

IGZOの基礎物性については、Znの蒸気圧が高いことなどから大型単結晶育成が困難であるため、未解明の部分が多く研究の発展を妨げていた。しかし、我々の研究グループでは9気圧下におけるFloating Zone (FZ)法によって初めてInGaZnO₄ (IGZO-11)の大型単結晶の育成に成功した。そこで我々は、この大型単結晶を用いて未知の物性であるInGaZnO₄の熱物性を明らかにするために、比熱、熱伝導率、ゼーベック効果の測定を行ったのでその結果について報告する。