[15a-A201-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-A201-2] Partial dislocation analysis of single Shockley stacking faults expanded from different origins on 4H-SiC PiN diodes

〇Johji Nishio¹, Aoi Okada¹, Chiharu Ota¹, Ryosuke Iijima¹ (1.Toshiba Corp.)

Keywords:single Shockley stacking fault, partial dislocation, Burgers vector

同じ三角形状であるものの、拡張開始電流密度が大きく異なる単一ショックレー積層欠陥について部分転位の解析を行い、構造の違いを明確化し、順方向劣化現象の理解を深めた。