[15a-A201-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15a-A201-5] Anomalous Conduction in Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC with Al Concentration of First Half of 10¹⁹ cm^-3

〇Atsuki Hidaka¹, Akinobu Takeshita¹, Tatsuya Imamura¹, Kota Takano¹, Kazuya Okuda¹, Kohei Ogawa¹, Hideharu Matsuura¹, Shiyang Ji², Kazuma Eto², Takeshi Mitani², Kazutoshi Kojima², Tomohisa Kato², Sadafumi Yoshida², Hajime Okumura² (1.Osaka Electro-Communication University, 2.AIST Advanced Power Electronics Research Center)

Keywords:Anomalous Conduction, First Half of 10^19 cm^-3, Heavily Al-Doped p-Type 4H-SiC

SiCを用いた低オン抵抗のパワーデバイスであるnチャネルInsulated-Gate Bipolar Transistorの実用化のためにはコレクタとなるp型4H-SiC基板の低抵抗率化が不可欠である。本研究ではChemical Vapor Deposition (CVD)法、Physical Vapor Transport (PVT)法とSolution Growth (SG) 法で成膜した試料の抵抗率の温度依存性（ρ(T)）をvan der Pauw法で測定し、Al濃度(C_Al)が10¹⁹ cm^-3台前半で出現する未知の伝導(X伝導)について議論する。