[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A201-5] 高濃度Alドープp型4H-SiCのAl濃度10¹⁹ cm^-3台前半での未知の伝導

〇日高 淳輝¹、竹下 明伸¹、今村 辰哉¹、高野 晃大¹、奥田 和也¹、小川 晃平¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、三谷 武志²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史²、奥村 元² (1.大阪電通大、2.産総研先進パワエレ研)

キーワード：未知の伝導、Al濃度10^19 cm^-3台前半、高濃度Alドープp型4H-SiC

SiCを用いた低オン抵抗のパワーデバイスであるnチャネルInsulated-Gate Bipolar Transistorの実用化のためにはコレクタとなるp型4H-SiC基板の低抵抗率化が不可欠である。本研究ではChemical Vapor Deposition (CVD)法、Physical Vapor Transport (PVT)法とSolution Growth (SG) 法で成膜した試料の抵抗率の温度依存性（ρ(T)）をvan der Pauw法で測定し、Al濃度(C_Al)が10¹⁹ cm^-3台前半で出現する未知の伝導(X伝導)について議論する。