[15a-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-A302-11] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、小島 一信¹ (1.東北大多元研)

キーワード：窒化物半導体、AlInN、カソードルミネッセンス

m面GaN基板上に約1マイクロメートルのGaNホモエピ層を介してMOVPE成長させた500-700 nmのAl_0.70In_0.30N層の、断面高分解能カソードルミネッセンス(CL)測定結果と高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡(HAADF-STEM)による解析結果を比較し、構造体と発光特性の関係について議論する。空間分解CLマッピングにより、AlInN/GaN界面の特異構造の存在が明らかになった。