[15a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A302-2] Characterization of carrier lifetime in InGaN/GaN quantum wells using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Yasufumi Fujiwara¹, Hidehiro Yasuda^1,2 (1.Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)

Keywords:GaN, two-photon photoemission spectroscopy, carrier lifetime

半導体中のキャリア再結合過程の評価手法として、一般に時間分解フォトルミネセンス法があるが、この評価手法は励起キャリアの再結合過程で生じるバンド端発光を検出信号として利用するため、欠陥へのキャリア捕獲速度が極めて速くバンド端の発光が殆ど観測されない場合や、欠陥発光とバンド端発光が混在する場合には、キャリア寿命測定が困難になる。本研究では、紫外光電子分光測定において、フェムト秒レーザをポンプ・プローブ光に用いた時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築することで、In_xGa_1-xN/GaN 量子井戸に励起された電子の緩和過程を、バンド端発光を得ることなく検出することを試みたので報告する。