The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sun. Mar 15, 2020 9:00 AM - 12:15 PM A302 (6-302)

Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Ryota Ishii(Kyoto Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[15a-A302-4] Fabrication and evaluation of longer wavelength MQW on relaxed thick InGaN

Naoya Iwasaki1, Yuki Inomata2, Rei Kawamura2, Narihito Okada2, Satoshi Kurai2, Yoichi Yamada2, Kazuyuki Tadatomo2 (1.Department of Eng., Yamaguchi Univ., 2.Grad. School of Sci. & Eng. for Innovation, Yamaguchi Univ.)

Keywords:InGaN, MQW

可視光InGaN-LEDの下地層にはGaNが一般的に用いられている。しかし、発光波長が長波長になるにつれ、発光層のInGaNとGaNとの格子定数差が大きくなりInGaN層のミスフィット転位の増加や量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)の影響の増加により、LEDの発光効率は低下する。高品質なInGaN下地層が実現できれば、上記の格子定数差は小さくなり、ミスフィット転位の減少およびQCSEの低減等が期待される。更に様々なアプリケーションへの応用が期待できる。我々はファセット成長を使ったInGaN下地層の高品質化の検討を行っている。これまでに我々は作製したInGaN下地層のMQW(多重量子井戸層)の成長ではGaN上のものと比較して長波長化かつ強度が改善を報告してきた。そこで今回はMQWの条件を変えることにより長波長化の検討を行ったので報告する。