[15a-A305-1~13] 13.3 Insulator technology

[15a-A305-4] XPS analysis of a low-temperature ALD film by high purity ozone and ethylene with TMA

〇Takayuki Hagiwara¹, Ayaka Abe¹, Naoto Kameda¹, Toshinori Miura¹, Yoshiki Morikawa¹, Mitsuru Kekura¹, Ken Nakamura², Hidehiko Nonaka² (1.Meidensha Corp., 2.AIST)

Keywords:Low-temperature ALD, Purity ozone, Insulating film

半導デバイスの高集積化に伴い、金属酸化物薄膜の精密な膜厚制御と低温成膜プロセスが要求されており、成膜技術として原子層堆積（ALD）法が注目されている。我々は、ALDプロセスの低温化のため、高純度オゾンとエチレンの反応によるOHラジカル生成技術をALDに適用し、トリメチルアルミニウムを用いて、室温で絶縁性に優れた膜質を有するAl₂O₃成膜を可能にした。当日はこれらの手法によるALD反応機構の違いについて議論する予定である。