[15a-A404-1~11] 17.3 Layered materials

[15a-A404-1] Growth and Transfer of Heteronanotubes Composed of Carbon, Boron Nitride and Molybdenum Disulfide

〇Taikou Murakami¹, Satoru Matsushita¹, Hayato Arai¹, Yongjia Zheng¹, Yang Qian¹, Taiki Inoue¹, Rong Xiang¹, Shohei Chiashi¹, Shigeo Maruyama^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.AIST)

Keywords:carbon nanotube, boron nitride, molybdenum disulfide

近年，二次元物質の積層構造による物性制御の研究が注目されている．XiangらはSWCNTフィルムを用いてSWCNTの外側にBNナノチューブ，さらに外側にMoS₂ナノチューブを積層させたMoS₂/BN/SWCNT積層構造を合成した．積層構造を形成するには孤立架橋SWCNTをテンプレートにする必要があり，デバイス応用のためにヘテロナノチューブを合成基板からシリコン基板へ転写する必要がある．本研究の目的は孤立したMoS₂/BN/SWCNTヘテロナノチューブの合成と転写方法の確立である．