[15a-A404-1~11] 17.3 層状物質

[15a-A404-9] Zr[N(C₂H₅)CH₃]₄と[(t-C₄H₉)₂S₂]を用いたMOCVDによるZrS₂の成膜

〇山崎 浩多¹、日比野 祐介^1,4、小柳 有矢¹、橋本 侑祐¹、澤本 直美¹、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長、4.学振特別研究員)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、有機金属化学気相成長

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は極薄膜における優れた電気特性や特異な性質から近年注目を集める物質である。代表的な二硫化モリブデン(MoS₂)などのⅣB族TMDに対して、ⅣB族TMDはより高移動度であることが期待され、ⅣB族TMDの中でも二硫化ジルコニウム(ZrS₂)は比較的安定であり実用化への期待が高い。本研究では、これまでほとんど報告のない有機金属化学気相成長(MOCVD)によるZrS₂成膜を試みたため報告する。