[15a-B508-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[15a-B508-1] Si上に選択成長したGeメサ側壁におけるSi保護膜との混晶化(2)

〇片廻 陸¹、川下 和樹¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：Ge、シリコンフォトニクス

シリコンフォトニクスにおいて，Si上Geエピタキシャル層は受光器として利用されている．前回，Si上に選択成長したGeメサ構造の側壁において，Si保護膜成長時にSiGe混晶が自然形成されることを報告した．今回は，Si保護膜の成長温度が混晶化やGeメサ構造の形状に与える影響を調べたので報告する．