2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-D311-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年3月15日(日) 09:00 〜 12:15 D311 (11-311)

大矢 忍(東大)

09:15 〜 09:30

[15a-D311-2] 溶媒和イオン液体を使用した高性能電気二重層トランジスタ

小野 新平1、斉藤 聖2、玉手 亮多2、三輪 一元1、清水 直1、堀井 辰衛2、渡邉 正義2 (1.電中研、2.横浜国立大)

キーワード:イオン液体ゲート

EDLTの新しい種類のゲート電解質として溶媒和イオン液体(Solvate ionic liquids)を利用した。ゲート電解質としてのSILの利点は、SILの構成カチオンであるLi +カチオンの濃度が、ポリマー電解質およびLi塩をドープした非プロトン性イオン液体の濃度よりもはるかに高いことである。ゲートバイアス電圧を上げることで、ゲート容量が増大し、SIL用いることで従来のイオン液体を使う時と比べ、酸化物半導体(チタン酸ストロンチウムSrTiO3)をベースにしたEDLTのゲート-ソース電流が増大することを確認した。