[15a-D411-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D411-10] 溶融KOHエッチングによる4H-SiC基底面転位エッチピットの評価

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、岡田 葵¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：基底面転位、部分転位、溶融KOHエッチング

溶融KOHエッチングによって形成される基底面転位のエッチピット評価を単一ショックレー型積層欠陥（1SSF）が拡張したPiNダイオードチップおよびバルク基板に対して実施し、エッチピット形状観察や構造解析により1SSF拡張現象に対する更なる理解を深めた。