[15a-D411-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[15a-D411-11] Impact of PBN discharge tube on nitridation process on sapphire by RF-MBE

〇Kenichi Yajima¹, Naoto Kuwabara¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kougakuin Univ.)

Keywords:nitridation, Boron nitride

高品質なN極性GaN薄膜成長に向けた基礎研究としてc面サファイア基板上にRF-MBE装置を用いた基板窒化表面をX線光電子分光法(XPS)にて評価を行った。XPSの測定からホウ素(B)のピークを観測し、ピーク分離の結果からBNが形成していることを確認した。またNのピークを観測し、ピーク分離の結果からAlNとBNの形成を確認した。これらからAlN以外にBNもサファイア表面層に形成していることが考えらえる。