[15a-D411-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-D411-11] RF-MBEサファイア基板窒化時にPBN放電管が与える影響

〇矢島 賢一¹、桑原 尚人¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大)

キーワード：基板窒化、窒化ホウ素

高品質なN極性GaN薄膜成長に向けた基礎研究としてc面サファイア基板上にRF-MBE装置を用いた基板窒化表面をX線光電子分光法(XPS)にて評価を行った。XPSの測定からホウ素(B)のピークを観測し、ピーク分離の結果からBNが形成していることを確認した。またNのピークを観測し、ピーク分離の結果からAlNとBNの形成を確認した。これらからAlN以外にBNもサファイア表面層に形成していることが考えらえる。