The 67th JSAP Spring Meeting 2020

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.1 Ferroelectric thin films

[15a-D419-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

Sun. Mar 15, 2020 9:00 AM - 12:15 PM D419 (11-419)

Takeshi Kobayashi(AIST), Shinya Yoshida(Tohoku Univ.)

11:15 AM - 11:30 AM

[15a-D419-9] Composition dependence of crystal structure and piezoelectric properties of epitaxial (K, Na)NbO3 thin films grown on Si substrates

Yoshikazu Sai1, Takuya Fujita1, Tan Goon1, Isaku Kanno1 (1.Kobe Univ.)

Keywords:piezoelectric thin film, lead free

(K,Na)NbO3 (KNN)は,高い圧電性とキュリー点を示すことから,非鉛圧電薄膜材料の有力候補として注目されている.従来の研究より,高い圧電性を得るためには,結晶配向性および組成を最適化させる必要がある.我々はこれまでに,Si基板上にKNN薄膜をエピタキシャ ル成長させることに成功した.本研究では,このK/Na組成の異なるKNN薄膜を作製し,その結晶構造および電気・圧電特性の評価を行った.