2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月15日(日) 09:30 〜 11:30 PA5 (第3体育館)

09:30 〜 11:30

[15a-PA5-21] 大面積成膜に対応した酸化物半導体用誘導結合プラズマスパッタ装置

岸田 茂明1、松尾 大輔1、池田 拓弥1、瀬戸口 佳孝1、安東 靖典1 (1.日新電機)

キーワード:誘導結合プラズマ、スパッタ装置、大面積

これまでに我々はICPスパッタ装置(G1サイズ:320×400 mm)を開発し、本装置で成膜した高密度IGZO膜を用いることで、高信頼性を有するTFTを作製できることを報告している。今回、本装置の大型化検証機として、G4.5サイズ(730×920 mm)のICPスパッタ装置を開発したので、その膜厚、膜質の分布と改善方法について報告する。