[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-23] 触媒反応支援CVD法で作製したZnO膜へ窒素ドープとアニール処理

斎藤 太朗¹、伊庭 竜太¹、神林 広樹¹、加藤 有行¹、〇安井 寛治¹ (1.長岡技科大)

キーワード：ZnO、窒素ドーピング、アニール

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法で堆積したZnOへの窒素ドープを目指すに当たり,窒素取り込みを促進させるため, 膜成長時に加熱したIrワイア表面でNOガスを触媒分解反応により分解生成した窒素ラジカルを供給した．また得られた膜をNOガス中でアニールした．SIMS測定により10¹⁹ cm^-3オーダーの窒素の取り込みを確認した．XPSを用いて窒素の結合状態について調べた結果, NOガス中アニールによりZn-N結合成分が増加することが分かった．