[15a-PB1-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[15a-PB1-6] Crystallized ZnO Thin Film Fabrication by using Room Temperature ALD and its Application

〇(DC)Kazuki Yoshida¹, Kentaro Saito¹, Masanori Miura², Kensaku Kanomata², Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:ALD, ZnO, room temperature deposition

酸化亜鉛(ZnO)はワイドバンドギャップ半導体であり、高い可視光透過性、低抵抗、低温成膜が可能といった特徴を持つ。このため透明導電膜、UVセンサの材料として研究されている。近年では水蒸気への潮解性を持つアルミナの代替としてZnOコーティングが耐水膜として有効であることが報告されている。この優れたZnOの物性をフレキシブルエレクトロニクスで活用するためには、低温で結晶成長させなければならない。我々は、これまでプラズマ励起加湿アルゴンとジメチル亜鉛を使った室温原子層堆積法(RT-ALD)を開発したが、断面TEMによる観察を行った結果、室温での成長でも薄膜は多結晶化しており、優れた耐熱水コート性を持つことが分かった。本発表では、ZnO成膜実験の詳細とTEM評価結果、さらに耐熱水コート性能について報告する。