[15p-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15p-A302-1] Influence of lattice strain on band gaps of III-V nitride semiconductors

〇Takahiro Kawamura¹, Yuya Hamaji¹, Akihito Korei¹, Toru Akiyama¹, Yoshihiro Kangawa² (1.Mie Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor, Band gap, First-principles calculation

GaN系窒化物半導体で構成される混晶や超格子はその組成や構造を変化させることでバンドギャップを制御することが可能である．基板や上下の層との格子不整合による歪みの影響によってもバンドギャップは変化するため，バンドギャップと格子歪みの関係を明らかにすることは重要である．本研究では第一原理計算を用いてGaN系窒化物半導体混晶および超格子のバンド構造解析を行い，バンドギャップと格子歪みの関係を調べた．