[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-A302-1] 格子歪みによるIII-V族窒化物半導体のバンドギャップの変化

〇河村 貴宏¹、浜地 祐矢¹、是井 昭人¹、秋山 亨¹、寒川 義裕² (1.三重大院工、2.九大応力研)

キーワード：窒化物半導体、バンドギャップ、第一原理計算

GaN系窒化物半導体で構成される混晶や超格子はその組成や構造を変化させることでバンドギャップを制御することが可能である．基板や上下の層との格子不整合による歪みの影響によってもバンドギャップは変化するため，バンドギャップと格子歪みの関係を明らかにすることは重要である．本研究では第一原理計算を用いてGaN系窒化物半導体混晶および超格子のバンド構造解析を行い，バンドギャップと格子歪みの関係を調べた．