[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-A302-2] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)

〇嶋 紘平¹、中須 大蔵¹、正直 花奈子²、上杉 謙次郎³、小島 一信¹、上殿 明良⁵、三宅 秀人⁴、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.三重大院工、3.三重大地域戦略、4.三重大地域イノベ、5.筑波大数物)

キーワード：窒化アルミニウム、陰極線蛍光、時間分解ルミネッセンス

サファイヤ上にスパッタ堆積させたAlNをアニールして形成するAlNテンプレートがAlGaN系DUV発光素子用基板として注目されている。本研究では、スパッタAlNテンプレート上にMOVPE成長させたAlN薄膜のカソードルミネッセンスおよび時間分解ルミネッセンス評価等を行い、バンド端発光の内部量子効率を制限する要因について考察した。