[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15p-A302-8] UVB-LDの組成傾斜p-AlGaNクラッド層の光閉じ込めと導電性のAl組成依存性

〇(B)山田 和輝¹、佐藤 恒輔^1,2、安江 信次¹、田中 隼也¹、手良村 昌平¹、荻野 雄矢¹、大森 智也¹、石塚 彩花¹、岩山 章^1,4、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,3、三宅 秀人⁴、寒川 義裕⁵、Konrad Sakowski⁶ (1.名城大学、2.旭化成(株)、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノベ、5.九大・応力研、6.Institute of High Pressure Physics)

キーワード：半導体、UVB、AlGaN