AlGaN系電流注入型UV-Bレーザの光学特性評価

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年3月15日(日) 13:45 〜 17:00 A302 (6-302)

岡田成仁(山口大)、室谷英彰(徳山高専)

16:00 〜 16:15

〇(B)大森智也¹、田中隼也¹、佐藤恒輔^1,2、安江信次¹、荻野雄矢¹、山田和輝¹、石塚彩花¹、手良村昌平¹、岩山章^1,4、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,3、三宅秀人⁴ (1.名城大・理工、2.旭化成(株)、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノベ)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN