[15p-A305-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[15p-A305-5] Analysis of crystal growth mechanism in amorphous Si films by in-situ heating TEM

〇Nobuaki Tarumi¹, Shohei Hayashi¹, Naohiko Kawasaki¹, Yuji Otsuka¹ (1.Toray Research Center)

Keywords:in-situ heating TEM, amorphous Si, crystal growth

メモリデバイスやTFTのチャネル層に使用されているPoly-Si膜は、a-Si膜に熱処理を施すことにより形成される。本研究では、その結晶成長におけるnmオーダーの構造変化を把握するために加熱in-situ TEM観察を実施した。その結果、a-Si膜は下地SiO2膜との界面においてランダムに核が形成され、結晶粒により異なる速度で成長することがわかった。また、結晶化後のPoly-Si膜についてACOM-TEMを用いて結晶方位解析を実施した。