[15p-A305-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15p-A305-5] 加熱in-situ TEMによるアモルファスSi膜の結晶成長メカニズム解析

〇垂水 喜明¹、林 将平¹、川崎 直彦¹、大塚 祐二¹ (1.東レリサーチセンター)

キーワード：加熱in-situ TEM、アモルファスSi、結晶成長

メモリデバイスやTFTのチャネル層に使用されているPoly-Si膜は、a-Si膜に熱処理を施すことにより形成される。本研究では、その結晶成長におけるnmオーダーの構造変化を把握するために加熱in-situ TEM観察を実施した。その結果、a-Si膜は下地SiO2膜との界面においてランダムに核が形成され、結晶粒により異なる速度で成長することがわかった。また、結晶化後のPoly-Si膜についてACOM-TEMを用いて結晶方位解析を実施した。