2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[15p-B410-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2020年3月15日(日) 13:15 〜 16:45 B410 (2-410)

宮本 智之(東工大)、赤羽 浩一(NICT)

14:00 〜 14:15

[15p-B410-2] 熱解析シミュレーションと構造関数による量子カスケードレーザの放熱性評価

高木 茂行1、谷村 景貴1、角野 努2、橋本 玲2、金子 桂2、斎藤 真司2 (1.東京工科大、2.東芝)

キーワード:量子カスケードレーザ、熱抵抗、構造関数

量子カスケードレーザ(QCL)は中・遠赤外域で発振する半導体レーザである.微量ガスの濃度測定などへの応用を目指し,高出力化が求められている.高出力化のためのQCL放熱性の向上を目指し,Static法で測定された構造関数から、QCL各部分の熱抵抗を求める手法を開発した。また,QCLリッジ部構造で, 絶縁膜カバー,メタル埋込み,InP埋込みでエピサイドダウンの4種類の熱抵抗を測定し,InP埋込み方式の熱抵抗が最小となることを示した。