[15p-B410-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[15p-B410-6] Electrode shape dependence of characteristics of InGaP photovoltaic devices

〇Keisuke Oishi¹, Shinnosuke Tsuboyama¹, Kensuke Hiwada¹, Masakazu Arai¹ (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:photovoltaic devices, semiconductor

光無線給電はレーザと太陽電池を用いて長距離伝送が可能な遠隔給電であり、高効率な青色レーザを受光するのに適した材料の検討を行っている。電極構造や層構造の異なるInGaP受光デバイスを作製し光照射には波長450 nmの青色のマルチモードレーザを使用し、レンズを使用せずに5 mmの距離から照射し評価した。グリッド電極の本数や幅依存性も報告する予定である。