[15p-B410-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[15p-B410-6] 光無線給電用InGaP光電変換デバイスの電極形状依存性

〇大石 圭介¹、坪山 真之介¹、日和田 健介¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：光電変換素子、半導体

光無線給電はレーザと太陽電池を用いて長距離伝送が可能な遠隔給電であり、高効率な青色レーザを受光するのに適した材料の検討を行っている。電極構造や層構造の異なるInGaP受光デバイスを作製し光照射には波長450 nmの青色のマルチモードレーザを使用し、レンズを使用せずに5 mmの距離から照射し評価した。グリッド電極の本数や幅依存性も報告する予定である。