[15p-D411-1~5] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-D411-2] 高濃度リンドープCZ-Si結晶における As grown SiPの形成機構

〇中村 浩三¹、仙田 剛士²、成松 真吾²、前田 進² (1.岡山県大、2.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：不純物効果、シミュレーション

我々は本会前報において高濃度にリンをドープしたCZ-Si 結晶においては、as grown 状態で高密度の SiP が存在し、それらがエピ欠陥の原因になることを報告した。本報告では、結晶成長プロセスにおいて SiP が形成されるメカニズムを検討したので報告する。
前大会において報告したリンと点欠陥との反応モデルを用いて、結晶成長過程の冷却中の格子間リン Pi の過飽和度の変化を求めた。Pi の過飽和度を基にする Pi の凝集 (SiP の発生) を核発生・成長モデルにより計算し、冷却後のSiP のサイズ分布を求めた。
その結果、高濃度リンドープ結晶の as grown SiP の密度は、格子間リンPi の過飽和度を基にした SiP の核発生・成長モデルによる計算結果と良く一致することを示した。