15:00 〜 15:15 [10p-N323-8] LPCVD SiN膜耐圧とN2アニール温度(Ⅰ)TDDB頻度とESR検討 〇栗田 久嗣1、中村 真貴1、宮川 勇人2、神垣 良昭3 (1.ローム浜松、2.香川大創造工、3.EBL)