10:00 〜 10:15 △ [13a-N305-5] 選択再成長オーミックコンタクトおよびAlNバリアを用いた四元混晶AlGaInN/Al0.36Ga0.64N HFETの作製と特性評価 〇井上 暁喜1、田中 さくら1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)