11:00 〜 12:40 [23a-P10-5] SiO2膜を介したSOI基板と4H-SiC基板の直接接合の検討 〇(M2)河村 和哉1、目黒 達也1、堤 将之1、大島 武2、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)