11:00 AM - 12:40 PM
[23a-P10-5] Study of Si-SOI/SiO2/4H-SiC direct wafer bonding
Keywords:semiconductor, direct wafer bonding
本研究ではSiCとSiの利点を併せ持つハイブリッドデバイスの開発に向けたSi-SiC基板の直接接合に着目し、熱酸化膜を接合界面に挟んだSi-SOI/SiO2/4H-SiCの接合条件最適化を行ったのでこれを報告する。
Poster presentation
13 Semiconductors » 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization
Thu. Sep 23, 2021 11:00 AM - 12:40 PM P10 (Poster)
11:00 AM - 12:40 PM
Keywords:semiconductor, direct wafer bonding