2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2021年9月23日(木) 11:00 〜 12:40 P10 (ポスター)

11:00 〜 12:40

[23a-P10-4] SiC上Ba導入酸化膜の面内不均質性

関根 将吾1、岡本 光央2、染谷 満2、平井 悠久2、蓮沼 隆1 (1.筑波大学、2.産総研)

キーワード:半導体、SiC、酸化膜

酸化膜へのBa導入はSiC MOSFETの特性向上プロセスの一つとして有望である。しかし、Baは増速酸化による酸化膜のラフネス増加効果も持っており、そのメカニズムは明らかになっていない。本研究では、Baを含むSiC上酸化膜のステップエッチングとAFMによる同一箇所の追跡を行い、Ba導入酸化膜の面内不均質性を調査した。