奥友則

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発表者・著者、共著者

2021年9月13日(月) 13:00 〜 18:00 N101 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:30 〜 13:45

△ [13p-N101-3] Si基板上の窒化物半導体層の内部応力に対するボイド形状の影響

〇奥友則¹、百瀬健¹、霜垣幸浩¹、出浦桃子¹ (1.東大院工)