15:30 〜 15:45 [11p-N305-8] 耐放射線CMOSイメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiCハイブリッド画素素子の出力特性 〇目黒 達也1、堤 将之1、武山 昭憲2、大島 武2、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)