永溝幸周

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発表者・著者、共著者

2021年9月11日(土) 13:30 〜 16:15 N305 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:15 〜 14:30

△ [11p-N305-4] 経験的擬ポテンシャル法に基づくSiC MOS界面における電子状態の解析

〇永溝幸周¹、田中一¹、森伸也¹ (1.阪大院工)