[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [11p-N305-4] 経験的擬ポテンシャル法に基づくSiC MOS界面における電子状態の解析

〇永溝 幸周¹、田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、SiC、MOS