15:30 〜 15:45 △ [10p-N103-8] リッジ埋め込み導波路構造による強横方向光閉じ込めGaInAsP半導体薄膜レーザの発振特性 〇高橋 直樹1、方 偉成1、大礒 義孝1、雨宮 智宏1,2、西山 伸彦1,2 (1.東工大工、2.科技創研)