15:30 〜 15:45 [10p-S202-10] Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響 〇児島 一聡1、佐藤 真一郎2、大島 武2、黒木 伸一郎3、山口 浩1 (1.産総研、2.量研、3.広島大学)