Jixuan Wu

発表者・著者、共著者

2021年9月11日(土) 09:00 〜 12:00 N205 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| CS コードシェアセッション
| 【CS.9】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

11:45 〜 12:00

▼ [11a-N205-11] Monolithic Integration of FET and Ferroelectric-Capacitor Enabled by Sn-doped InGaZnO for 3D Embedded RAM Application

〇(P)Jixuan Wu¹、Fei Mo¹、Takuya Saraya¹、Toshiro Hiramoto¹、Mototaka Ochi²、Hiroshi Goto³、Masaharu Kobayashi^1,4 (1.IIS, Univ. of Tokyo、2.Kobe Steel, Ltd、3.Kobelco Inst., Inc、4.d.lab,Univ. of Tokyo)

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