Julian Sasaki

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発表者・著者、共著者

2021年9月11日(土) 09:00 〜 12:00 S302 (口頭)

一般セッション(口頭講演)
| 10 スピントロニクス・マグネティクス
| 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[11a-S302-1~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

11:00 〜 11:15

▼ [11a-S302-8] Highly efficient spin current source using BiSb topological insulator / NiO bilayers

〇Julian Sasaki¹、Shigeki Takahashi²、Yoshiyuki Hirayama²、Pham NamHai¹ (1.Tokyo Tech、2.Samsung)